Panasonic Lanzará el Paquete de Transistores de Potencia de 600 V de GaN con Modo de Refuerzo Más Pequeño de la Industria*
OSAKA, Japón, 24 de mayo del 2015.— Panasonic Corporation anunció el lanzamiento del paquete de transistores de potencia (X-GaN™)** y modo de refuerzo[1] de nitruro de galio (GaN)[2] más pequeño de la industria. El GaN está encapsulado en un paquete de montaje en superficie de doble plano sin plomo (DFN) de 8 x 8. El paquete se puede montar en un área pequeña en la que el montaje convencional es difícil de realizar, lo cual reduce el consumo energético de los equipos de electrónica de consumo e industriales.
La tensión de ruptura de los transistores es de 600 V en modo de refuerzo y los productos alcanzan una conmutación de alta velocidad de 200 V/ns y una baja resistencia de encendido[3] de entre 54 y 154 m?. La compañía prevé enviar muestras del producto: tipo 10A (PGA26E19BV) y tipo 15A (PGA26E08BV) en julio de 2015.
El transistor de potencia es un dispositivo semiconductor que controla la fuente de alimentación. GaN es uno de los componentes semiconductores más sobresalientes y cuando se utiliza en los transistores, se pueden lograr mayores rendimientos de conmutación y tensión de ruptura que con los de silicio (Si) y carburo de silicio (4H-SiC).
El nuestro transistor de potencia de GaN convencional está encapsulado en un paquete de montaje en superficie con alta difusión de calor TO220 (tamaño: 15 x 9,9 x 4,6 mm); sin embargo, el paquete no es lo suficientemente pequeño y limita el área de montaje en la placa de circuito impreso de los equipos electrónicos.
La inductancia parásita[4] reduce el uso del paquete de montaje en superficie, lo que permite que la característica intrínseca del transistor de potencia de GaN y su alto rendimiento de conmutación se puedan ofrecer en un tamaño reducido de 8 x 8 x 1,25 mm bajo 600 V de alta tensión. La introducción de los transistores de potencia en los equipos electrónicos se ha agilizado ya que contribuye a reducir el consumo de energía.
Los productos se exhibirán en la Feria de Conversión de Potencia y Sistemas de Movimiento Inteligente (Power Conversion Intelligent Motion, PCIM) en Núremberg, Alemania, del 19 al 21 de mayo de 2015.
Características
- El nuevo paquete de montaje en superficie de GaN DFN 8 x 8 (8 x 8 mm x 1,25 mm, con una superficie ocupada de 43 % en comparación con los productos del paquete convencional TO-220) más pequeño del mundo y optimizado para los transistores de potencia de GaN.
- La adopción del paquete de montaje en superficie reduce la inductancia parásita, lo cual permite alcanzar un rendimiento de conmutación de alta velocidad de 200 V/ns.
- Los transistores de puerta de inyección (GIT)[5] originales de Panasonic, producidos en un sustrato de SI de seis pulgadas, permiten la creación del modo de refuerzo.
Los transistores de potencia de GaN se utilizan en fuentes de alimentación CA-CC (PFC, convertidores CC-CC aislados), sistemas de carga de baterías, acondicionadores de potencia PV e inversores EV.
La compañía posee 200 patentes nacionales y 180 patentes internacionales, incluidas las solicitudes pendientes, como la US 8779438, la patente básica para la estructura GIT original, y la US 8299737, la patente básica para el sistema de conducción que se aprovecha de las operaciones normalmente inactivas.
Este proyecto cuenta con el respaldo parcial de la Organización de Desarrollo de Nuevas Energías y Tecnología Industrial (New Energy and Industrial Technology Development Organization, NEDO) de Japón, de conformidad con el Desarrollo Estratégico del Proyecto de Tecnología de Conservación de Energía.
| Explicación de los términos | ||
| [1] | Modo de refuerzo | |
| Un transistor con modo de refuerzo es un solo transistor que es capaz de llevar a cabo las operaciones normalmente inactivas, una característica de los dispositivos semiconductores que pueden impedir el flujo de corriente entre la fuente y el drenaje cuando no se aplica tensión a la puerta. | ||
| [2] | Nitruro de galio (GaN) | |
| El nitruro de galio es un semiconductor compuesto III-V con un intersticio de banda amplio (entre la banda de valencia y la banda de conducción). Los materiales con intersticio de banda más amplio suelen tener una mayor tensión de ruptura. | ||
| [3] | Resistencia de encendido | |
| Es la resistencia entre el electrodo de la fuente y el electrodo de drenaje de un transistor cuando se enciende el mismo (estado conductivo). | ||
| [4] | Inductancia parásita | |
| La inductancia parásita son componentes inductivos no intencionales en los paquetes de partes electrónicas. Aunque dichas inductancias no causan problemas en las fuentes de alimentación a una frecuencia de 50 o 60 Hz, pueden ser un obstáculo sustancial para las operaciones de alta velocidad con fuentes de alimentación de GaN que operan a una frecuencia de entre varios cientos de kHz y varios cientos de MHz. | ||
| [5] | Transistor de puerta de inyección (GIT) | |
| Un GIT es un transistor de GaN normalmente inactivo desarrollado originalmente por Panasonic Semiconductor Solutions. Los nuevos principios operativos se basan en el aumento de la corriente del drenaje en el momento de inyección de huecos para mantener la compatibilidad entre la baja resistencia de encendido y el modo de refuerzo. | ||
Página web de los productos de GaN:
http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/products/powerics/ganpower/
Acerca de Panasonic
Panasonic Corporation es un líder mundial en el desarrollo de diversas tecnologías electrónicas y soluciones para clientes de las industrias electrónicas, inmobiliaria, automotriz, de soluciones empresariales y dispositivos industriales en general. Desde su fundación en 1918, la compañía se ha expandido globalmente y, en la actualidad, opera 468 empresas subsidiarias y 94 empresas asociadas en todo el mundo, registrando ventas netas consolidadas por valor de 7715 billones de yenes para el año que finalizó el 31 de marzo de 2015. Comprometida con la búsqueda de nuevos valores a través de la innovación en todas las líneas divisionales, la compañía utiliza su propia tecnología para crear un mejor nivel de vida y un mundo mejor para sus clientes. Para conocer más sobre Panasonic, visite: http://www.panasonic.com/global
*: El paquete de transistores de potencia de 600-V de GaN con modo de refuerzo estará disponible a partir del 18 de mayo de 2015, según las previsiones de Panasonic Corporation.
**: X-GaN es una marca comercial de Panasonic Corporation.